在25日的 ISSCC（International Solid State Circuit Conference）国际固态电路会议上，三星除了在全球首次展示10nm FinFET半导体制程外，还在发言中表示将继续推进至5nm工艺制程，因为他们认为“根本没有困难”，而且进一步细微化也有可能很快实现。

根据三星的发言，他们已经开始了3.2nm FinFET工艺的工作，通过所谓的EUV远紫外光刻技术和四次图形曝光技术和独家相关途径，可以实现工艺更细微化。此前，英特尔已经表示10nm之后的半导体制造会更复杂，再发展下去硅原子的物理极限很难突破，不排除三星的新材料解决方案是砷化銦鎵。

作为韩国高科技巨头，三星在半导体制造方面已经非常超前，目前仅有三星一家可以正式大规模量产14nm FinFET工艺的移动设备芯片，而此前在工艺方面极有优势的英特尔却一推再推。三星称下一代芯片尺寸将更微小，功耗更低。未来此工艺也将运用到DRAM和3D V-NAND芯片上，三星不会放弃任何在移动领域做储存霸主的机会。三星表示，在2017年之前或暂时不会有10nm工艺。也就是说，首款采用14nm芯片的智能手机Galaxy S6，在先进工艺方面的优势可能会维持两年。

虽然在芯片领域，三星在业务方面尚未上升到高通或者英特尔的高度，但三星的芯片发展可谓神速，迎来的是对相关领域统治级竞争对手的直接挑战。 （静 蓝）