全球DRAM内存市场垄断在了三星、SK Hynix及美光三家厂商中，在这其中三星是第一梯队的，不论工艺还是产能、占有率都遥遥领先其他两家，SK Hynix第二，美光的工艺和产能最次。2014年率先量产20nm工艺的DRAM内存之后，三星如今再一次领跑，现在正式量产了18nm工艺内存芯片。只不过内存市场今年普遍看淡，随着厂商产能的提高，内存价格降幅甚至高达40%。

跟处理器芯片一样，制程工艺越先进，每一代工艺的进步在外人看来感觉是越来越小了，CPU工艺好歹是从22nm进步到14/16nm、NAND也是从20nm进步到16/15nm，内存工艺这次只是从20nm进步到了18nm，线宽只缩小了2nm，是不是感觉没什么变化。

实际上并不是这样，虽然集成电路的生产制造过程都差不多，但具体到不同产品上又有很大不同。在20nm节点上，三星、SK Hynix及美光还可以使用45nm工艺级别的半导体印刷设备，但再往下就难了，工艺需要改进，三星已经开始启用双重曝光工艺，很多制造设备都是需要改进或者升级的。从20nm到18nm，三星的DRAM内存能效据称提升了20%。

现在的情况是，三星已经开始量产18nm工艺DRAM内存，为了进一步提升产能，三星还在安装更多的半导体设备，预计今年夏天产能会大幅提升。

其他两家对手的进度没这么快，他们的20nm工艺才量产不久，SK Hynix的18nm级别工艺还在开发中，而美光这两年的日子不好过，研发进度就更慢了，20nm工艺才刚量产，18nm工艺还很遥远，消息称美光有可能落后三星2年左右。

不过对内存厂商来说，今年最大的问题恐怕不是产能和工艺，而是市场和价格。PC需求不断下降，智能设备市场增速也没之前那么高了，但20nm产能不断扩大，所以之前有预测称今年DRAM内存市场会迎来大降价，最高甚至会降40%。